高管表示台积电有信心在2026年之前能够避免使用高NA机器

今年早些时候，英特尔大肆宣传并庆祝其成功安装和启动了世界上最先进的半导体制造机器(称为高数值孔径EUV扫描仪)，台积电(TSMC)的一位高管表示，他的公司可以使用现有的低数值孔径EUV扫描仪。NA机器至少可以使用几年。英特尔最近收到了第一台此类机器，该公司当前的路线图显示该设备已上线，用于制造14A制造工艺节点的变体。

在阿姆斯特丹举行的一次活动上，台积电高管分享了他们对扩大非洲大陆芯片制造能力和升级现有机器的想法。在发言的高管中，台积电业务发展高级副总裁张凯文表示，虽然他对高NAEUV能力印象深刻，但该机器的标价有点太高了，令他感到不舒服。

尽管由于台积电和英特尔的3nm制造工艺等先进技术，低NAEUV扫描仪现在已经很常见，但在EUV扫描仪出现之前，公司广泛依赖DUV机器来制造7nm及更高版本的芯片。

芯片制造商可以使用旧机器制造先进的芯片，前提是他们在此过程中将原始设计分成多个部分。台积电驻阿姆斯特丹高级副总裁的言论似乎也符合这一原则，因为他认为台积电可以避免使用高NAEUV机器，直到开始使用其A16工艺技术制造产品。

目前，半导体工艺技术系列使用纳米来测量晶体管尺寸。然而，进一步的缩小导致英特尔和台积电升级了未来技术的术语。他们用埃取代了纳米，A16品牌指的是相当于当前术语下的1.6纳米的技术。

制造分辨率低于2纳米的芯片需要能够在晶圆上精细印刷电路的机器。在举行的技术研讨会上，台积电的张表示，其公司现有的EUV能力可以支持芯片生产到2026年底，届时A16工艺技术系列将根据当前的路线图推出。

英特尔似乎也在同样的假设下运营，因为最近的技术路线图表明，高NAEUV将制造14A芯片。假设台积电和英特尔的埃时代技术营销条款持平，那么两家公司可能会在同一时间范围内开始使用较新的机器。

虽然市场营销经常互换使用纳米等术语，但工艺技术是指芯片上晶体管尺寸的集合。3纳米技术是目前世界上最先进的技术，指的是芯片上晶体管之间的距离以及其他变量。更小的晶体管使芯片制造商能够缩短这些距离并跳转到下一个处理节点。

据《台北时报》报道，在谈到A16工艺技术时，张评论道：“我认为目前我们现有的EUV能力应该能够支持这一点。”他补充道，“我喜欢高数值孔径EUV的功能，但我不喜欢它的标价。”

英特尔最近对高NAEUV扫描仪的状态更新表明，公司强调使用高NA可以通过减少掩模数量来提高总体制造成本。掩模包含芯片的设计，而旧机器依靠更多掩模来产生更清晰的结果。